整流二极管的主要参数
指示二极管性能和应用范围的技术指标称为二极管参数。不同类型的二极管具有不同的特性参数。对于初学者，我们必须了解以下主要参数。
一、最大整流电流
指二极管长期允许的最大正电流值，其值与PN结面积和外部散热条件有关。当电流通过管时，芯被加热，温度升高，温度超过允许极限（硅管约141，锗管约90），芯会过热损坏。因此，在散热条件下，二极管不应超过二极管的最大整流电流值。例如，额定正向电流常用于40014007型锗二极管的1A。
二、最大反向电压
当二极管两端的反向电压达到一定值时，会使管子击穿，失去单向导电性。为了保证操作安全，规定了最高反向工作电压。例如，IN4001二极管的反向电压为50V，IN4007的反向电压为1000V。
三、逆流
反向电流是指二极管在规定温度和最大反向电压下流过二极管的反向电流。反向电流越小，管的单向导电性越好。值得注意的是，反向电流与温度密切相关。大约是温度的10倍，反向电流会加倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时，如果反向电流为250uA，温度上升到35，反向电流将上升到500uA。以此类推，在75度时，它的反向电流已达到8mA，不仅失去单向导电性，还会导致管子过热损坏。例如，2CP10型硅二极管在25℃时反向电流为5uA，当温度上升到75℃时反向电流不超过160uA，因此硅二极管在高温下比锗二极管具有更好的稳定性。
四、反向恢复时间
反向恢复时间意味着电流从零到正间隔。它是衡量高频飞轮和整流器性能的重要技术指标。正常的fast/Express/ultrafast恢复二极管将反映恢复时间参数，单位为纳米（NS），恢复时间越快，相对效率越好。
二极管和三极管有什么区别
二极管的应用非常广泛。几乎所有电路都使用二极管。
一、二极管的特性、原理和表示
晶体二极管是由p半导体和N半导体形成的p-N结。界面两侧有空间电荷层，并有自建电场。二极管最重要的特点是单向导电。在正电压作用下，导电电阻很小，而在反电压作用下，导电电阻很大或无穷大。当没有外加电压时，P-N结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，处于电平衡状态。当施加正向电压时，外加电场和自建电场相互抵消，使载流子的扩散电流增大，产生正向电流。当施加反向电压时，外加电场和自建电场进一步加强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压无关的反向饱和电流。当施加的反向电压增加到一定程度时，P-N结空间电荷层的电场强度达到临界值，产生载流子倍增，产生大量的电子-空穴对，产生较大的反向击穿电流，这就是二极管的击穿现象。
二极管通常在电路中用作“D”加数字表示，例如，D8表示编号为8的二极管。
二、二极管的分类
根据半导体材料的不同，可分为硅二极管（Si）和锗二极管（Ge管）。按用途可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。根据其核心结构，可分为点接触二极管、面接触二极管和平面二极管。
该晶体管包含2个P-N结，具有放大能力。
（1）三极管的原理、分类和表示
顾名思义，三极管有三个电极。前面提到的二极管由PN结构组成，三极管由两个PN组成，公共电极是三极管的基础（用字母b表示）。另外两个电极分别是集电极（用字母C表示）和发射极（用字母E表示）。由于不同的组合，形成了NPN晶体管和PNP晶体管。这两种晶体管可以从工作特性上相互补偿。例如，在OTL电路中，PNP对和NPN对使用一对管子。晶体管在电路中常用作“Q”加数字，例如，Q10是晶体管的数字为10。
（2）三极管的功能和参数：
三极管的基本功能是放大。把微弱的电信号转换成一定强度的信号，这种转换仍然遵循能量守恒原理，只是将功率转换成信号的能量。晶体管的一个重要参数是电流放大系数。当一个微小的电流被加到晶体管的基极上时，就有可能得到集电极上注入的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，基极电流的小变化会引起集电极电流的大变化，即三极管的放大倍数。